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  • 型号: MT41J64M16JT-187E:G TR
  • 制造商: Micron Technology Inc
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT41J64M16JT-187E:G TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41J64M16JT-187E:G TR价格参考。Micron Technology IncMT41J64M16JT-187E:G TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT41J64M16JT-187E:G TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT41J64M16JT-187E:G TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

品牌为Micron Technology Inc.、分类为存储器、型号为MT41J64M16JT-187E:B4的存储器,是一款DRAM(动态随机存取存储器)模块,广泛应用于高性能计算和工业级设备中。该型号为16位宽、容量为1GB的DDR3 SDRAM内存芯片,适用于需要高速数据处理和稳定存储的场景。

其主要应用场景包括:工业控制设备、嵌入式系统、网络通信设备(如路由器和交换机)、服务器和工作站、以及汽车电子系统等。由于其高可靠性和稳定性,该型号也常用于需要长时间运行的自动化设备和高端消费电子产品中。

此外,该存储器支持工业级温度范围,适用于复杂和严苛的工作环境,满足对性能和稳定性有较高要求的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR3 SDRAM 1GBIT 533MHZ 96BGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MT41J64M16JT-187E:G TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

96-FBGA(8x14)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

DDR3 SDRAM

存储容量

1G(64M x 16)

封装/外壳

96-TFBGA

工作温度

0°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.425 V ~ 1.575 V

速度

533MHz

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